Транзистор GT810A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT810A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 15W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 200V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 200V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 1V
Ток коллектора (Iк): 10A
Температура перехода (Tj): 85єC
Граничная частота (Fгр): 15MHz
Коэффициент усиления (hFE): 15MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: High Power, High Voltage

Аналоги

2N2266 2N2267 2N2268 2N2269 2N2282 2N2283 2N2284 2N3730 2N386 2N387 2SB228 2SB229 2SB230 2SB238 2SB239 2SB239A 2SB240 2SB240A 2SB241 2SB241A 2SB242 2SB242A 2SB243 2SB243A 2SB244 2SB245 2SB275 2SB276 2SB340 2SB340H 2SB341 2SB341H 2SB355 2SB355A 2SB356 2SB357 2SB361 2SB362 2SB468 AU103 AU104 AU107 AU113 T1167 T1168

В справочнике: 45 из 45. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT810A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.