Транзистор 2SB296 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB296. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
160V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
3V
Ток коллектора (Iк)
10A
Температура перехода (Tj)
75єC
Граничная частота (Fгр)
700KHz
Коэффициент усиления (hFE)
25/200
Производитель
FUJITSU
Применение
High Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB296 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее