Транзистор 2SB299 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB299. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
18V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
13V
Ток коллектора (Iк)
250mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Коэффициент усиления (hFE)
65T
Производитель
FUJITSU
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB299 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее