Транзистор GT125A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT125A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
20V
Ток коллектора (Iк)
300mA
Температура перехода (Tj)
90єC
Граничная частота (Fгр)
1MHz
Коэффициент усиления (hFE)
28/56
Производитель
RUSSIA
Применение
Medium Power, General Purpose
Искать GT125A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее