Транзистор 2SB343 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB343. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
30W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
150V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
6A
Температура перехода (Tj)
75єC
Граничная частота (Fгр)
800KHz
Коэффициент усиления (hFE)
25/250
Производитель
HITACHI
Применение
Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB343 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее