Транзистор 2SB359 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB359. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
50W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
120V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
90V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
1V
Ток коллектора (Iк)
6A
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
500KHz
Коэффициент усиления (hFE)
10/80
Производитель
FUJITSU
Применение
Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB359 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее