Транзистор GT813B pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT813B. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 50W
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 125V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 2V
Ток коллектора (Iк): 40A
Температура перехода (Tj): 85єC
Коэффициент усиления (hFE): 10/60
Производитель: RUSSIA
Применение: High Power, High Voltage

Аналоги

2N1046 2N1046A 2N1046B 2N1073A 2N1202 2N1203 2N2137 2N2137A 2N2138 2N2138A 2N2139 2N2139A 2N2140 2N2140A 2N2141 2N2141A 2N2142 2N2142A 2N2143 2N2143A 2N2144 2N2144A 2N2145 2N2145A 2N2146 2N2146A 2S131 2SB342 2SB359 MP2137 MP2137A MP2138 MP2138A MP2139 MP2139A MP2140 MP2140A MP2141 MP2141A MP2142 MP2142A MP2143 MP2143A MP2144 MP2144A MP2145 MP2145A MP2146 MP2146A

В справочнике: 49 из 49. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать GT813B в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.