Транзистор 2SB410AF pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB410AF. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
40W
Напряжение коллектор–база (Uкб)
135V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
5V
Ток коллектора (Iк)
11A
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
3MHz
Коэффициент усиления (hFE)
27/275
Производитель
SANYO
Применение
High Power, High Voltage, High Frequency

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB410AF в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее