Транзистор 2SB452A pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB452A. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
300mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
32V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
6V
Ток коллектора (Iк)
1A
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
400KHz
Коэффициент усиления (hFE)
150T
Производитель
MATSUSHITA
Применение
Medium Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SB452A в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее