Транзистор GT403J pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора GT403J. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 4W
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 80V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 60V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 20V
- Ток коллектора (Iк)
- 1.2A
- Температура перехода (Tj)
- 85єC
- Граничная частота (Fгр)
- 1MHz
- Коэффициент усиления (hFE)
- 20/60
- Производитель
- RUSSIA
- Применение
- Medium Power, General Purpose
Аналоги
2CY17
2SAB18A
2SB105
2SB106
2SB108
2SB109
2SB109A
2SB109B
2SB18A
2SB254
2SB255
2SB256
2SB314
2SB405
2SB405K
2SB405ST
2SB415
2SB421
2SB427
2SB428
2SB451
2SB452
2SB452A
2SB453
2SB454
2SB455
2SB462
2SB463
2SB463-B
2SB463-R
2SB463-Y
2SB81
В справочнике: 32 из 32. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать GT403J в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.