Транзистор 2SB860 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB860. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 100V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 4A
Температура перехода (Tj): 160єC
Коэффициент усиления (hFE): 50/250
Производитель: HITACHI
Применение: High Power, High Voltage, General Purpose

Аналоги

2N6047 2N6476 2SB703 2SB859 BD244C ECG292 FT417B KT818G

В справочнике: 8 из 8. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.