Транзистор 2SD1135 npn

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SD1135. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: SI
Структура: NPN
Рассеиваемая мощность (Pc): 40W
Напряжение коллектор–база (Uкб): 100V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 80V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 5V
Ток коллектора (Iк): 4A
Температура перехода (Tj): 150єC
Граничная частота (Fгр): 10MHz
Ёмкость коллектора (Cк): 40
Коэффициент усиления (hFE): 60/200
Производитель: HITACHI
Применение: Medium Power, High Voltage

Аналоги

2N3054 2N6474 2SB859 BD149 KT819G

В справочнике: 5 из 5. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.