Транзистор AF117N pnp
Справочные характеристики биполярного транзистора AF117N. Наличие и цены смотрите в каталоге.
- Материал
- GE
- Структура
- PNP
- Рассеиваемая мощность (Pc)
- 75mW
- Напряжение коллектор–база (Uкб)
- 32V
- Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
- 15V
- Напряжение эмиттер–база (Uэб)
- 2V
- Ток коллектора (Iк)
- 10mA
- Температура перехода (Tj)
- 75єC
- Граничная частота (Fгр)
- 75MHz
- Ёмкость коллектора (Cк)
- 3
- Коэффициент усиления (hFE)
- 50MIN
- Производитель
- SIEMENS
- Применение
- RF, Low Power, General Purpose
Аналоги
В справочнике: 3 из 3. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.
Искать AF117N в каталоге
Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.
Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.