Транзистор GT322V pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT322V. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
50mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
25V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ)
25V
Ток коллектора (Iк)
10mA
Температура перехода (Tj)
80єC
Граничная частота (Fгр)
80MHz
Ёмкость коллектора (Cк)
2.5
Коэффициент усиления (hFE)
20/120
Производитель
RUSSIA
Применение
Low Power High Frequency
Искать GT322V в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее