Позиций: 1 057
Подбираете компоненты? Откройте справочник характеристик биполярных транзисторов — параметры, аналоги и наличие.
| Фото | Наименование | Бренд | Наличие, шт. | Цена | Опт | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR024NTRPBF Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 20 А, TO-252 (DPAK)
IRFR024NTRPBF (Elecsuper)
|
Elecsuper | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFR3710ZTRLPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,100В, 42A, 140Вт, к...
IRFR3710ZTRLPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFS634 Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFS730 Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFS740 Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFS830 Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFS840 Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRFZ44N Blue Rocket полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 60 В, 50 А, TO-220
IRFZ44N
|
BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLB8721PBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 62А, 65Вт, корпус...
IRLB8721PBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLB8743PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 140 А, 2.1 мОм, TO-220
IRLB8743PBF
|
JSMSEMI | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLD110PBF | IR | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML0100TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 100В, 1.6А, 1.3Вт,...
IRLML0100TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML2244TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 20В, 4.3А, 1.3Вт,...
IRLML2244TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML2502TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 20В, 4.2А, 0.8Вт,...
IRLML2502TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML6302TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 20В, 0.78А, 0,54Вт,...
IRLML6302TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML6401TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 12В, 4.3А, 1.3Вт,...
IRLML6401TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML6402TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 20В, 3.7А, 1.3Вт,...
IRLML6402TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML9301TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, P-канал, 30В, 3.6А, корпус SOT-23-3
IRLML9301TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLML9303TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 30В, 2.3А, 1.25Вт,...
IRLML9303TRPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLR3110ZPBF | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRLZ44NPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 47А, 83Вт, 0.022 Ом,...
IRLZ44NPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Тип полевого транзистора N-Channel Технология MOSFET (Metal O...
IRF720SPBF
|
VISHAY | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
NDT2955 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -3 А, 150 мОм, SOT-223
NDT2955
|
JSMSEMI | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
NE6510179A-T1 | NEC | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
NVHL020N090SC1 | ON Semiconductor | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
NX7002BKW | NXP | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
PMV65XP,215 , Полевой P-канальный транзистор NEXPERIA, 20В, 2.8A, 480мВт, корпус SOT-23-3
PMV65XP,215
|
NEXPERIA | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
SI2308A HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 2.5 А, 85 Ом, 2.1 нКл, SOT-23
SI2308A
|
HXY | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
SI2309A HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -1.6 А, 160 Ом, 11.3 нКл, SOT-23
SI2309A
|
HXY | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
SI7115DN-T1-GE3 | VISHAY | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
SI7172DP-T1-GE3 | VISHAY | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
SI7172DP-T1-GE3-Z | VISHAY | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
SPW35N60C3 | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STB33N60DM2, ST Microelectronics, MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2...
STB33N60DM2
|
ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STB6NK60ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 6А, 110Вт, корпус...
STB6NK60ZT4
|
ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STL110N10F7 | ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STL3NM60N | ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STP20NM60FD | ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STP4NK60ZFP, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 4А, 600В, корпус TO-220-3...
STP4NK60ZFP
|
ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STP8N80K5, ST Microelectronics, MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
STP8N80K5
|
ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STW33N60DM2, ST Microelectronics, Транзистор: N-MOSFET
STW33N60DM2
|
ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STW70N60M2 | ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STW77N65M5, Полевой N-канальный транзистор ST Microelectronics, 650В, 69А, 400Вт, корпус...
STW77N65M5
|
ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
STW9N150 , Полевой транзистор ST Microelectronics, N-канальный, 1500В, 8А, 320Вт, корпус...
STW9N150
|
ST Microelectronics | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
TEMT6200FX01 | VISHAY | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
TK100L60W, TOSHIBA, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Through Hole
TK100L60W
|
TOSHIBA | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
TK12E80W,S1X(S, TOSHIBA, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220, Through...
TK12E80W,S1X(S
|
TOSHIBA | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
TK1R4F04PB,LQ(O, TOSHIBA, Транзистор MOSFET одиночный
TK1R4F04PB,LQ(O
|
TOSHIBA | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
TK40E10N1,S1X(S, TOSHIBA, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0068 ohm, TO-220, Throug...
TK40E10N1,S1X(S
|
TOSHIBA | под заказ | по запросу | по запросу |
|
Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее
Настоящим в соответствии с Федеральным законом № 152-ФЗ «О персональных данных» от 27.07.2006 года свободно, своей волей и в своем интересе выражаю свое безусловное согласие на обработку моих персональных данных ИП СТАРОДУБОВ ИВАН ВЛАДИМИРОВИЧ (ОГРНИП 323508100562975, ИНН 262607954728), зарегистрированным в соответствии с законодательством РФ по адресу: 140150, Московская область, Раменский городской округ, рп. Быково, ул. Параллельная, д. 1А (далее по тексту — Оператор).
1. Согласие даётся на обработку одной, нескольких или всех категорий персональных данных, не являющихся специальными или биометрическими, предоставляемых мною, которые могут включать: имя; фамилию; телефон; e-mail; комментарий/сообщение.
2. Оператор может совершать следующие действия: сбор; запись; систематизация; накопление; хранение; уточнение (обновление, изменение); извлечение; использование; блокирование; удаление; уничтожение.
3. Способы обработки: как с использованием средств автоматизации, так и без их использования.
4. Цель обработки: предоставление мне услуг/работ, включая направление в мой адрес уведомлений, касающихся предоставляемых услуг/работ, подготовка и направление ответов на мои запросы.
5. Настоящее согласие действует до момента его отзыва путём направления соответствующего уведомления на электронный адрес info@mkdevelop.ru или направления по адресу 140150, Московская область, Раменский городской округ, рп. Быково, ул. Параллельная, д. 1А.
6. В случае отзыва мною согласия оно прекращает своё действие, за исключением случаев, когда обработка осуществляется без согласия на основаниях, предусмотренных Федеральным законом № 152-ФЗ «О персональных данных» от 27.07.2006 года.