Позиций: 43
Подбираете компоненты? Откройте справочник характеристик биполярных транзисторов — параметры, аналоги и наличие.
| Фото | Наименование | Бренд | Наличие, шт. | Цена | Опт | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGH40N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
FGH40N60SMD
|
ON Semiconductor | 1495 | 472,00 ₽ | 314,00 ₽ |
|
|
IKA10N60TXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 11.7A, 600В, 30Вт, корпус TO-220...
IKA10N60TXKSA1
|
Infineon Technologies | 1204 | 251,00 ₽ | 167,00 ₽ |
|
|
FGH40N60SFDTU, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 80 А, корпус TO-247-3
FGH40N60SFDTU
|
ON Semiconductor | 560 | 469,00 ₽ | 312,00 ₽ |
|
|
FGH60N60SMD, IGBT транзистор ON Semiconductor , 600 В, 120 А, корпус TO-247-3
FGH60N60SMD
|
ON Semiconductor | 480 | 542,00 ₽ | 360,00 ₽ |
|
|
STGP19NC60HD, IGBT транзистор ST Microelectronics, 21А, 600В,130Вт, корпус TO-220-3
STGP19NC60HD
|
ST Microelectronics | 450 | 516,00 ₽ | 343,00 ₽ |
|
|
IKW25N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 50 А, 326 Вт, корпус TO-...
IKW25N120H3FKSA1
|
Infineon Technologies | 300 | 548,00 ₽ | 365,00 ₽ |
|
|
IHW30N135R5XKSA1, IGBT транзистор,1350В,30А, корпус TO247-3
IHW30N135R5XKSA1
Новинка
|
Infineon Technologies | 270 | 546,00 ₽ | 363,00 ₽ |
|
|
IKW75N65EH5XKSA1, IGBT транзистор , 650В, 90А, 395Вт, корпус TO-247-3
IKW75N65EH5XKSA1
|
Infineon Technologies | 270 | 530,00 ₽ | 353,00 ₽ |
|
|
IKW30N60DTPXKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies , 600В, 30А, 200Вт, корпус TO-247-...
IKW30N60DTPXKSA1
|
Infineon Technologies | 256 | 875,00 ₽ | 582,00 ₽ |
|
|
IRGP4063DPBF JSMSEMI IGBT транзистор, 650 В, 100 А, 2.6 мДж, TO-247
IRGP4063DPBF (JSMSEMI)
Новинка
|
JSMSEMI | 195 | 576,00 ₽ | 383,00 ₽ |
|
|
IKW50N60DTPXKSA1, Высокоскоростной IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 80А, 319....
IKW50N60DTPXKSA1
|
Infineon Technologies | 180 | 693,00 ₽ | 461,00 ₽ |
|
|
IKW50N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600 В, 100 А, 333 Вт, корпус TO-2...
IKW50N60H3FKSA1
|
Infineon Technologies | 160 | 630,00 ₽ | 419,00 ₽ |
|
|
IKW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 40А, 230Вт, корпус TO-247-...
IKW40N65ES5XKSA1
|
Infineon Technologies | 132 | 353,00 ₽ | 234,00 ₽ |
|
|
IKP40N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO2...
IKP40N65H5XKSA1
|
Infineon Technologies | 120 | 953,00 ₽ | 634,00 ₽ |
|
|
IGW30N60H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 60А, 187Вт, корпус TO-247-3
IGW30N60H3FKSA1
|
Infineon Technologies | 96 | 1 063,00 ₽ | 707,00 ₽ |
|
|
IKW40N120T2FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 75 А, 480 Вт, корпус TO-...
IKW40N120T2FKSA1
|
Infineon Technologies | 90 | 798,00 ₽ | 531,00 ₽ |
|
|
STGW60H65DFB, IGBT транзистор ST Microelectronics, 650В, 80А, корпус TO-247-3
STGW60H65DFB
Новинка
|
ST Microelectronics | 80 | 625,00 ₽ | 415,00 ₽ |
|
|
IKW30N65H5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 55А,1.65В,188Вт, 650В, TO-247-3
IKW30N65H5XKSA1
|
Infineon Technologies | 75 | 584,00 ₽ | 388,00 ₽ |
|
|
IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус TO-247-3
IKW50N65ES5XKSA1
|
Infineon Technologies | 64 | 991,00 ₽ | 659,00 ₽ |
|
|
IKW40N120H3FKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 1200 В, 80 А, 483 Вт, корпус TO-...
IKW40N120H3FKSA1
|
Infineon Technologies | 20 | 595,00 ₽ | 396,00 ₽ |
|
|
FF300R12KS4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 370 А, 1950 Вт, корпус Screw...
FF300R12KS4HOSA1
|
Infineon Technologies | 1 | 32 682,00 ₽ | 21 731,00 ₽ |
|
|
BRGB15N65FL Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
BRGB40L65AHA Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
BRGB40N65AHA Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
BRGB6N65DP Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
BRGB75L65AHA Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
BRGB75N65AHA Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
BRPGB100N65AHA Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
BRPGB100N65BHA Новинка | BlueRoc | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw...
FF200R12KT4HOSA1
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
FP40R12KT3BOSA1 Новинка | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
FP75R12KE3BOSA1 Новинка | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
G40T120AK3S Новинка | CRMICRO | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
GD100HFU120C1S | STARPWR | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
GD40PIY120C5S | STARPWR | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IHW20N135R5 | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IHW30N160R5 | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRG4PC50UDPBF | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRG4PC50WPBF | Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRGP4063DPBF, IGBT транзистор Infineon Technologies, 600В, 96А, 330Вт, корпус TO-247-3
IRGP4063DPBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
IRGP50B60PD1PBF, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600 В 75 А 390 Вт...
IRGP50B60PD1PBF
|
Infineon Technologies | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
NGTB25N120FL2WAG | ON Semiconductor | под заказ | по запросу | по запросу |
|
|
SGT50T65FD1PN | SILAN | под заказ | по запросу | по запросу |
|
Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее
Настоящим в соответствии с Федеральным законом № 152-ФЗ «О персональных данных» от 27.07.2006 года свободно, своей волей и в своем интересе выражаю свое безусловное согласие на обработку моих персональных данных ИП СТАРОДУБОВ ИВАН ВЛАДИМИРОВИЧ (ОГРНИП 323508100562975, ИНН 262607954728), зарегистрированным в соответствии с законодательством РФ по адресу: 140150, Московская область, Раменский городской округ, рп. Быково, ул. Параллельная, д. 1А (далее по тексту — Оператор).
1. Согласие даётся на обработку одной, нескольких или всех категорий персональных данных, не являющихся специальными или биометрическими, предоставляемых мною, которые могут включать: имя; фамилию; телефон; e-mail; комментарий/сообщение.
2. Оператор может совершать следующие действия: сбор; запись; систематизация; накопление; хранение; уточнение (обновление, изменение); извлечение; использование; блокирование; удаление; уничтожение.
3. Способы обработки: как с использованием средств автоматизации, так и без их использования.
4. Цель обработки: предоставление мне услуг/работ, включая направление в мой адрес уведомлений, касающихся предоставляемых услуг/работ, подготовка и направление ответов на мои запросы.
5. Настоящее согласие действует до момента его отзыва путём направления соответствующего уведомления на электронный адрес info@mkdevelop.ru или направления по адресу 140150, Московская область, Раменский городской округ, рп. Быково, ул. Параллельная, д. 1А.
6. В случае отзыва мною согласия оно прекращает своё действие, за исключением случаев, когда обработка осуществляется без согласия на основаниях, предусмотренных Федеральным законом № 152-ФЗ «О персональных данных» от 27.07.2006 года.