Поиск по группе (например, "транзистор") : 

  Поиск по марке, параметрам (например, "RJ45") :   

 Минимальная сумма заказа 5000 руб. При заказе на сумму от 15000 рублей действуют оптовые цены.

Бесплатная доставка заказов в пределах МКАД и до офисов транспортных компаний в Москве*.

дроссели

Группа: дроссели
Наименование Производитель
CM453232-R15ML, чип-индуктивность 0.15мкГн1812 Bourns Inc.
CM453232-R27ML, чип-индуктивность 0.27мкГн1812 Bourns Inc.
CM453232-R33ML, чип-индуктивность 0.33мкГн1812 Bourns Inc.
CM453232-R56ML, чип-индуктивность 0.56мкГн1812 Bourns Inc.
CM453232-R68ML, чип-индуктивность 0.68мкГн1812 Bourns Inc.
CM453232-R47ML, чип-индуктивность 0.47мкГн1812 Bourns Inc.
CM453232-821KL, чип-индуктивность 820мкГн 1812 Bourns Inc.
CV201210-100K, чип-индуктивность 10мкГн 0805 Bourns Inc.
CV201210-220K, чип-индуктивность 22мкГн 0805 Bourns Inc.
CW160808-12NJ, чип-индуктивность 0.012мкГн 0603 Bourns Inc.
CW201212-R39J, чип-индуктивность 390мкГн 0805 Bourns Inc.
CE201210-R39J, чип-индуктивность 390мкГн 0805 Bourns Inc.
CW160808-4N7J, чип-индуктивность 4.7мкГн 0603 Bourns Inc.
CW201212-R22J, чип-индуктивность 220мкГн 0805 (B82498-B3221-J) Bourns Inc.
CF252016-1R5K, чип-индуктивность 1.5мкГн 1008 Bourns Inc.
CF252016-2R2K, чип-индуктивность 2.2мкГн 1008 Bourns Inc.
CF252016-2R7K, чип-индуктивность 2.7мкГн 1008 Bourns Inc.
CF252016-5R6K, чип-индуктивность 5.6мкГн 1008 Bourns Inc.
CW160808-R12J, чип-индуктивность 0.12мкГн 0603 Bourns Inc.
CW160808-R22J, чип-индуктивность 0.22мкГн 0603 Bourns Inc.
EC 24-R10M, индуктивность 0.1 мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R12M, индуктивность 0.12мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R15M, индуктивность 0.15мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R18M, индуктивность 0.18мкГн, 20%, ипм. Тайвань(Китай)
EC 24-R22M, индуктивность 0.22мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R27M, индуктивность 0.27мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R33M, индуктивность 0.33мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R39M, индуктивность 0.39мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R47M, индуктивность 0.47мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R56M, индуктивность 0.56мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R68M, индуктивность 0.68мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-R82M, индуктивность 0.82мкГн, 20%, имп. Тайвань(Китай)
EC 24-1R0K, индуктивность 1.00мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)
EС 24-1R2K, индуктивность 1.20мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)
EC 24-1R5K, индуктивность 1.50мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)
EC 24-1R8K, индуктивность 1.80мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)
EC 24-2R2K, индуктивность 2.20мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)
EC 24-2R7K, индуктивность 2.70мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)
EC 24-3R3K, индуктивность 3.30мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)
EC 24-3R9K, индуктивность 3.90мкГн, (10%), имп. Тайвань(Китай)