Транзистор 2SA396 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SA396. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал
GE
Структура
PNP
Рассеиваемая мощность (Pc)
200mW
Напряжение коллектор–база (Uкб)
15V
Напряжение эмиттер–база (Uэб)
15V
Ток коллектора (Iк)
200mA
Температура перехода (Tj)
85єC
Граничная частота (Fгр)
2MHz
Коэффициент усиления (hFE)
40MIN
Производитель
MATSUSHITA
Применение
RF, Low Power, General Purpose

Аналоги

В справочнике: 4 из 4. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Искать 2SA396 в каталоге

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.

Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с их использованием. Подробнее