Транзистор GT125G pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора GT125G. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 35V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 20V
Ток коллектора (Iк): 300mA
Температура перехода (Tj): 90єC
Граничная частота (Fгр): 1MHz
Коэффициент усиления (hFE): 120MIN
Производитель: RUSSIA
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2SA282 2SA396 2SB55 2SB56 2SB56A 2SB58 2SB59 2SC55

В справочнике: 8 из 8. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.