Транзистор 2SB56 pnp

Справочные характеристики биполярного транзистора 2SB56. Наличие и цены смотрите в каталоге.

Материал: GE
Структура: PNP
Рассеиваемая мощность (Pc): 150mW
Напряжение коллектор–база (Uкб): 30V
Напряжение коллектор–эмиттер (Uкэ): 25V
Напряжение эмиттер–база (Uэб): 12V
Ток коллектора (Iк): 150mA
Температура перехода (Tj): 75єC
Граничная частота (Fгр): 500KHz
Ёмкость коллектора (Cк): 70
Коэффициент усиления (hFE): 80T
Производитель: TOSHIBA
Применение: Medium Power, General Purpose

Аналоги

2N2706 2SB324 2SB345 AC128 ECG102A GT125G

В справочнике: 6 из 6. Серым отмечены маркировки без справочной страницы.

Справочник биполярных транзисторов MKDevelop: параметры приведены из документации производителей.

Информация на этой странице носит справочный характер и не является технической документацией (даташитом). Перед применением компонента сверяйтесь с официальной документацией производителя.